Ddr2 максимальный объем планки. Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров

Получил вопрос от Александра Шилина:

Народ у меня такой вопрос, а если у меня на матери потолок написано 600+ то 667 планки пойдут? а то с 600 частотой я вообще не видел, видел только 667 и выше.

Если честно, то материнскую плату с поддержкой памяти с рабочей частотой не выше 600МГц найти не удалось, да и оперативная память с частотой 667МГц уже почти пропала из продажи.

А вот материнские платы, у которых в характеристиках заявлена поддержка DDR2 667/533/400, но ни слова не говорится о DDR2 800, найти удалось. Одной из таких плат является ASUS P5LD2 на чипсете Intel 945P.

Чипсет старенький, и, скорее всего, когда компьютер с такой материнской платой собирался, то в него было установлено не более 1Гб памяти, а то и вовсе лишь 512Мб. Однако желания увеличить производительность компьютера путем увеличения объема ОЗУ никто не отменял.

Только вот нет в магазинах памяти с требуемыми характеристиками DDR2 667/533/400, а есть только DDR2 800. Можно ли ее установить? Заработает ли?

Можно.

Чтобы в этом убедиться, запустим программу CPU-Z, которую я уже хвалил, когда писал о том . Только в этот раз откроем закладку SPD.

Вот пример для DDR2 PC2-5300, 667МГц:

DDR2 PC6400, 800МГц:

А вот память, официально промаркированная как DDR2 PC6400, 800МГц, но поддерживающая работу на частоте 1066МГц:

Самой интересной для нас в данном случае является строчка Frequency в разделе Timings Table. Только значение частоты (Frequency) надо умножить на 2, чтобы получить значения, указанные в прайсах и руководствах к мат. платам.

Вообще SPD — это система профилей, зашитый в оперативную память, которая сообщает материнской плате через BIOS, на какой частоте данная планка способна работать.

И тогда видно, что DDR2 PC2-5300, 667МГц может работать не только на частоте 667МГц, но и на 533МГц, и даже 400Мгц.

То же самое можно сказать и про DDR2 PC6400, 800МГц. Отсутствие в табличке упоминания о возможности работы на частоте 667МГц, вызвано, полагаю, экономей места.

Думаю, что и последняя планка заработает даже на частоте 400МГц. Только вот с экономической точки зрения покупать в этом случае очень странно.

Так что покупайте DDR2 PC6400, 800МГц и смело устанавливайте ее на материнскую плату с поддержкой только DDR2 667/533/400. Все прекрасно будет работать и даже более надежно, т.к. у такой планки будет ощутимый запас прочности, вместо работы на пределе. 🙂

комментариев 28

1. Илья (29 июля 2009, 15:56)

На платы с поддержкой лишь медленной памяти можно устанавливать быструю — просто она работать будет на максимально поддерживаемой мат. платой скорости (т.е. низкой).

2. (29 июля 2009, 16:01)

Илья, собственно говоря об этом и писал, только для того, чтобы не быть голословным, добавил несколько изображений. 🙂

3. Антон Молодой (30 июля 2009, 11:30)

>ASUS P5LD2 на чипсете Intel 945P.
у меня именно такая мать 🙂

>когда компьютер с такой материнской платой собирался, то в него было установлено не более 1Гб памяти, а то и вовсе лишь 512Мб.
я, наверное, эбонутый. но у меня 3гб. люблю когда памяти МНОГО.

4. (30 июля 2009, 13:40)

Антон, гики не в счет. 🙂
Я имел в виду стандартные конфиги, которые втюхиваются людям.

5. Игорь (27 августа 2009, 00:56)

В общем один редька запутался я в этой памяти. Ноут поддерживает 533Мгц, стояла дубль банка 512Мб PC4200 работала на 266Мгц. Поставил ентот PC6400 (800) думал будет работать на 533Мгц. А оно отнюдь не так — 399Мгц. Короче «нащёлкал» скринов налепил сюда: http://komp-kompyuterov.narod.ru/index.html Что там к чему? Или всё верно 400х2=800.=)…походу у меня просветление позднее. Тогда зачем дурят народ восмистамимегагерцами?

6. (27 августа 2009, 07:01)

Игорь, 800 — это, очевидно, при активации двухканального режима: 2 канала по 400МГц в сумме дают 800.

В случае с ноутбуками все еще хитрее. Вот на этом скриншоте явно видно, что максимальная частота (RAM Max поддержка) — 533МГц. Т.е. в случае с одной планкой — 266МГц.

Но расстраиваться не стоит. 🙂 2Гб в любом случае много лучше, чем 512Мб, а 800МГц сейчас стоят не дороже, чем 533.

7. Игорь (28 августа 2009, 09:51)

Ну по крайней мере вопрос с «хапаньем» из подкачки теперь решён. А то бывало тормозило не по детски.:)
Ну короче не удалось мне вдоволь побаловаться новшеством. С ноутбуком случилось страшное.(матери кровь не проливал но..)К стати в следствие произошедшего при попытке открыть MP3 виндовым MP пишет что «не удалось выполнить операцию из за нехватки памяти».Ну, не издевательство ли?:)А плеер классик открывает нормально. И много чего нехорошего ещё присутствует. Ну это уже относится к проблемам виндовс или безопасности. Может здесь где есть соответствующая тема? Или тут по-оффтопим? Тогда отпшусь по проблеме глобально.

8. (28 августа 2009, 09:55)
9. Игорь (30 августа 2009, 04:06)

Ну как говорится раз пошла такая пь…э…разбираловка. 🙂 Сначала итого 1-го эпизода; обьекты (папки, ярлыки и тд) как будто гвоздями прибиты и не перемещались никаким кликом, перестало работать «вставить» контекстного меню (всегда неактивно), в журналах ошибок не кликались эти самые ошибки чтоб посмотреть описание, при заходе в учётные записи пустое окно без выбора чего либо, в диспетчере задач отсутствие себя любимого во вкладке пользователи и вообще потеря прав администратора, частиная или полная хз (сообшение при попытке запуска приложения на диске D), процессов в диспетчере задач вместо +50 осталось 30+, периодические перезагрузки с синим экраном (быстро пролелькивающим, не успеваешь помотреть чего там понаписано), позже удалось выяснить код ошибок
Код ошибки 10000050, параметр1 8f640cec, параметр2 00000001, параметр3 805b641a, параметр4 00000000.
Код ошибки 10000050, параметр1 c399ff20, параметр2 00000000, параметр3 bf80dd9b, параметр4 00000000.
примерно в таком духе, при попытке сканирования на вирусы тоже перезагрузки (собственно с ними и пробовал бороться 3 дня), сообщения о покоцанной файловой системе на С, ну и тд и тп. Главная проблемма была тексты с паролями/логинами изъять. Уже морально был готов к переписыванию в ручную, да вспомнив про диск с windows благополучно воспользовался мастером переноса файлов.(не так плохи мелкомягкие как они есть на самом деле=))) С чего это всё началось уже и не упомню, но точно после того как начал манипуляции с памятью, там ещё помнится было зависание чего-то, скандиск ну и пошло поехало. Пробовал и востановление системы делать- опять ошибка и перезагрузка. (сейчас в паде пишу и после каждого предложения Ctrl+S, потому как регулярно ребутит гадина:(). Всё описанное чёчилось с хоум эдишин, вторая XP(обрезанная которая гейм эдишин) тоже вообще почти не запускалась, жалуясь на покоцанный C. С безопасным режимом тоже толкового ничего не выходило. Помыкавшись я подтянул тяжёлую артиллерию и Acronis True Image Home 11.0 востановил посекторно логический C. Всё вроде стало нормально работать (хотя щас такой сумбур в голове что ничего не могу гарантировать:)) И вторая ось заработала. Обменял память (goodram) думаю мож планка была глючная. Вставил, вроде нормально всё в PC Wizard 2008 даже протестил, чего-то показала как моя старая 4200. Ну да ладно, подключился на DSL да давай закачивать обновки. Образик то акрониса был аж октября 2008, хоть и с почти всеми нужными прогами.Ну и вот я тут сижу напихиваю железного друга…и бац. Опять старая песня. Перезагрузки…мать…давно типа не было. Похожие коды, журнал ошибки приложений уже повреждён. Было зависание чего-то (опять мимо памяти моей:), скандиск почикал там чего-то. Правда в этот раз на диске папки его небыло той где такое 000 в конце.
Вот я опять вернулся после ребута.:) Какая-то хрень хотела в интернет (он отключен), запретил в комодо. Потом зашёл в него же посмотреть подробнее что это было, кликнул в журнале…окно ошибки и перезагрузка. После сообщение ошибки savedump.exe и теперь там записи этого события нет. Что-то я уж и не знаю что и думать. Мож и вправду вирус какой. Может какой сцука(уже не сдерживаюсь) в MBR прописался? Ну там прописан акронис (востановление при загрузке). Правда запуск его с выбором F11(восстановления) 2-3 раза вчера был, а то и сейчас высвечивает MBR error 2. Мож тут чего и кроется? Короче всё, нет сил. Выкладываю и ложусь спать. Завтра (сегодня уже) снова востановлю аронисом и посмотрю как будет развиваться со старой памятью. ЗЫ К стати и мышку накануне приладил с кнопкой двойного клика…Может тут чего? =)))))) ЗЫЫ Задрало, никак не оторвусь. Опять перегрузило. И опять лез в нет какой-то синхронизатор мелкомягких. Что-то типа этого.ЗЫЫЫ Не мог огнелисом зайти ребутило, плюнул поставил свою оперативку. Вроде какие-то минуты держит.:) Та память такая горячинькая была…хотя ноут ведь.

10. Игорь (30 августа 2009, 04:09)

Каково я табаню уникальный контент?:) Правда абзацы не поделал…
Тест глазок получился заодно.:))

11. (30 августа 2009, 08:33)

Игорь, это уже не похоже на память, особенно, учитывая ее замену.
Это похоже на:

1. Вирус. Хорошо бы загрузиться с какого-нибудь Live CD и провериться «Dr.Web CureIt!», благо ему установка не нужна.

2. Но еще более это похоже на смерь жесткого диска. Проверку опять же лучше запускать с Live CD, но на крайний случай можно и просто виндовую попробовать. И утилиту от производителя HDD поискать.

12. Игорь (30 августа 2009, 15:49)

3. И ещё это похоже на полтергейст.:)
Короче память это, оперативка гудрамовская. Наверное несовместимость какая-то. Сейчас на своей родной Hyundai Electronics, настоящий фирменный кореец, с цивильной проштамповкой работает всё без сбоев уже с утра. Даже с ночи — как установил. И другая система запустилась без проблем- в Perfect World пробежался. Правда повреждения оставшиеся придётся устранять. В первый раз память свою возвращал на гораздо более убитую систему поэтому результата не было видимо.
Протестировал систему- без сбоев. Остался журнал событий повреж-
дённый. В Comodo Firewall тоже всё в норме и в его журнале. Доус-
тановил комп некоторые обновления и после этого появилось раз-
дражение. msfeedssync.exe ломится в сеть. Firefox использую IE
вообще не запущен. Какого фига оно лезет ленты новостей проверять
или что там. Ну а насчёт HDD, у меня здоровье оного 88%, но до кризиса работал нормально на мой взгляд. Может ему ставало плохо
когда новую память прилаживал? В общем восстановлю каким образом
ОС, обновлю всю остальную начинку и образ диска в акронисе. Потом мож ещё повтыкаю ентот гудрам, если до того не сдам назад. И надо думать какую память искать или вернее найти хоть что нибудь работающее под мою машину. В той точке только такая в наличии на ноутбуки. А CureIt знаем и пользуем, с тех пор как буквально пол-месяца назадt подхватил «нечто» (Neshta), замахал- ся лечить на двух компах. Сейчас проверял CureIt-ом- всё чисто.
Правда он всегда ругается на Giljabi.exe из моей lg_swupdate директории. Но думаю тут нормально всё.:)

ЗЫ Интересно в памяти не может быть вируса уже затаренного до меня? (типа от производителя) :))

13. Игорь (1 сентября 2009, 19:30)

Хех, в суматохе не была замечена такая деталь как объём памяти
в одном слоте. Сейчас поставил 1Гб кингстон и пока всё ок. И думаю
что и дальше будет ок. Теперь стало М1 и М2 а не так как на «PC Wizard 2008 физическая память_2Gb» скриншоте. С ещё одним «М1» Да
и припоминаю что у меня поддерживат 2Гб, 1Гбх2. Т.е. в двух слотах.
Осталось при случае поставить ещё одну в «дно» и вуаля- двухканаль-
ная. Ну а потрапившие сюда по сабжу теперь будут знать какие ужасы
могут последовать после казалось бы рутинной операции.

14. Сергей (18 ноября 2009, 20:50)

Здравствуйте, Владимир! Буду рад услышать ваш совет.
Стоит планка памяти DDR1 3200, 512 Мб. Что лучше, установить еще одну планку с такими же характеристиками (DDR1 3200, 512 Мб) или планку на 1 Гб (чтобы получилось 1,5 Гб)? Кстати материнская плата (Foxconn P4M800P7MA-RS2) имеет 2 слота для DDR1 и два слота для DDR2. Имеет ли смысл устанавливать DDR2?

15. (18 ноября 2009, 20:57)

Сергей, лучше установить еще 1Гб и получить в итоге 1.5Гб.
Разницы между DDR1 и DDR2 Вы скорее всего не заметите, а устанавливать одновременно оба типа памяти в большинстве случаев нельзя.

16. Сергей (19 ноября 2009, 21:14)

Спасибо. А какова вероятность, что новая планка 1Гб сработается со старой 512Мб? Я слышал, что лучше срабатываются друг с другом одинаковые по параметрам планки, плюс к тому же двойной канал.

17. Игорь (24 ноября 2009, 16:58)

Им абсолютно ничего не мешает сработаться если мать поддерживает такое колличество и в таких слотах. Память нужно наращивать под работающие приложения. Существенной разницы не будет между 1,5 и 2 Гб если при работе самого ёмкого расходуется например 1Гб. Разница будет если стоит 1Гб а при работающей проге берётся 1,5 Гб, т.е. «хапается» из подкачки и соответственно тормозит из за доступа к HDD. Смотреть: диспетчер задач->быстродействие->пик. Сколько при вашем работающем любимом тяжёлом он составляет сколько оперативки и надо.=)Двухканалка даёт прирост менее 10% если не путаю, что не суть как важно при вышеописанном. Ну это как говорится моё имхо, хотя рулит на нуболевелах юзеров.=)

18. Сергей (25 февраля 2010, 00:57)
2. А вот тут сложнее. Есть вероятность, что производитель перестраховался. Или во время разработки материнской платы и написания документации просто не было возможности установить больше 4Гб памяти. Например, были модули только по 1Гб. И тогда может заработать и больше 4Гб.
Но, может быть, у производителя были какие-то технические проблемы, из-за которых объем и был ограничен.
Либо ищите отзывы о Вашей мат. плате по всему интернету, либо пробуйте. 🙂
19. Артём (15 сентября 2010, 12:51)

мат. плата моя как раз из той серии, что упоминается в этой статье Asus soket 775 P5LD2 SE. спасибо, Владимир)попробую.

20. Антон (31 января 2013, 14:05)

Здравствуйте, вопрос следующего характера:
Материнка ASUS P5LD2 в ее описание написано что максимально можно установить память оперативную с частотой 667МГц, но я купил 2 планки по 2ГБ и частотой 800МГц, установил работа компьютера мне очень сильно понравилась т.к. раньше стоял 1Гб ОП.
Но после этого стало пропадать место на жестком диске, а именно на диске «С» (на нем стоит виндовс ХР)
Может ли это быть из-за ограничения Материнской платы?
Или же я поймал какойто вирус? т.к. на данный момент касперский без лицензии ну тобишь не оплачен=не работает.

21. (31 января 2013, 14:09)

Антон, много места пропало?
У Windows есть файл подкачки, он иногда может зависеть от размера оперативной памяти.
Есть режим сна, когда все содержимое оперативной памяти сохраняется на жесткий диск — и система резервирует объем равный объему памяти всегда. Можно его отключить и место вернется.

А может быть и просто какое-то совпадение.

22. Vas! (19 мая 2013, 19:34)

Доброго! Не подскажете ли: матплата Асус поддерживает память до 800 мгц, сейчас стоит 2 по 512 на 533 скорости (pc-4300). Можно ли расширить доставив 1 или 2 гб но 800й памяти т.к. зс-4300 купить негде. Заведется ли такая комбинация из 2х512мб на 533 и 1 или 2 гб на 800??? Спасибо.

23. Opana (23 октября 2015, 15:43)

Здравствуйте, у меня на мамке стоят слоты для DDR3 и DDR4, можно ли воткнуть к 8Gb*2 DDR4@3200MHz ещё 8Gb*2 DDR3@2133MHz

24. Tony (27 марта 2017, 16:29)

У меня вопрос, а будет ли это работать в ноутбуке Toshiba Satelit A 215? Там точно частота будет 667 герц у 800 герцовой планки, и есть ли риск что не заведётся вовсе? И вообще, туда можно впихнуть больше 4 гигов ОЗУ? Или там 4, — максимум?

25. Гость (2 июля 2018, 10:22)

Ха, P5RD2-VM не стартует с 800-й памятью (официально как раз потолок 667). Но у неё найден костыль — если воткнуть вместе одну 667, а другую 800, то всё работает.

26. Вадим (10 октября 2018, 12:08)

asrock 945gcm-s не поддерживает память 800 Мгц

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM - DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

• 72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) - используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

• 100-pin DIMM - используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

• 144-pin SO-DIMM - используется для SDR SDRAM (Single Data Rate …) в портативних компьютерах

• 168-pin DIMM - используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

• 172-pin MicroDIMM - используется для DDR SDRAM (Double date rate)

• 184-pin DIMM - используется для DDR SDRAM

• 200-pin SO-DIMM - используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

• 214-pin MicroDIMM - используется для DDR2 SDRAM

• 204-pin SO-DIMM - используется для DDR3 SDRAM

• 240-pin DIMM - используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

• 244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

• 256-pin SO-DIMM - используется для DDR4 SDRAM

• 284-pin DIMM - используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей - не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

DDR2 SDRAM

DDR3 SDRAM

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность = Частота шины x ширину канала x кол-во каналов

Для всех DDR — количество каналов = 2 и ширина равна 64 бита.
Например, при использовании памяти DDR2-800 с частотой шины 400 МГц пропускная способность будет:

(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

• Kingston KVR800D2N6/1G
• OCZ OCZ2M8001G
• Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.

Описание

Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:

• наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок . Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
• наличию специализированной микросхемы адресации - register.
  «Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферированных - «registered» - модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
• наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей - Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.

Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR-II.

Категорически невозможно использовать Registered память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR-III, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.

Преимущества по сравнению с DDR

• Более высокая полоса пропускания
• Как правило, меньшее энергопотребление
• Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению

• Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
• Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше

DDR2 постепенно вытесняется DDR3.

См. также

Литература

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. - 2008. - ISBN 978-5-94157-711-8

Примечания

Ссылки

Wikimedia Foundation . 2010 .

Появлением на массовом рынке новых платформ все большую популярность приобретает память DDR2, которая постепенно начинает вытеснять память DDR. Первоначально существовала только память DDR2-400, на смену которой довольно быстро пришла память DDR2-533. А сейчас уже можно встретить память DDR2-667, DDR2-675, DDR2-750, DDR2-800, DDR2-900, DDR2-1000 и даже DDR2-1066. При этом отметим, что стандартизированной памятью в настоящее время является DDR2-533 и DDR2-667. В скором будущем будет также стандартизирована память DDR2-800, в связи с чем многие материнские платы уже поддерживают этот тип памяти. Остальные же типы памяти не стандартизированы, и не факт, что материнская плата способна поддержать эту память на заявленной тактовой частоте. Возникает вопрос: почему же производители памяти, соревнуясь друг с другом, стараются выпускать все более скоростную память? Ответ довольно прост — это маркетинговый ход. Ведь, по мнению рядового покупателя, чем выше тактовая частота, тем лучше. Но так ли это на самом деле и действительно ли производительность памяти целиком и полностью определяется ее тактовой частотой? Действительно ли сегодня востребована скоростная память типа DDR2-1000 или же это не более чем соревнование между производителями памяти?

Оказывается, что тактовая частота — далеко не единственная и даже не самая главная характеристика памяти, определяющая ее производительность. Куда более важной характеристикой является латентность памяти (тайминги памяти), и в этом смысле память DDR2-800 с большой латентностью будет менее производительной, чем память DDR2-667 с низкой латентностью.

Впрочем, чтобы разобраться во всех этих нюансах и выяснить, что такое латентность и почему эта характеристика более важна, чем тактовая частота, нам надлежит сначала понять, как работает оперативная память.

Что такое оперативная память

перативная память (или RAM-память —Random Access Memory) — это память с произвольным доступом.

Поскольку элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор элементарных ячеек, каждая из которых способна хранить один информационный бит.

Элементарная ячейка оперативной памяти представляет собой конденсатор, способный в течение короткого промежутка времени сохранять электрический заряд, наличие которого можно ассоциировать с информационным битом. Проще говоря, при записи логической единицы в ячейку памяти конденсатор заряжается, при записи нуля — разряжается. При считывании данных конденсатор разряжается через схему считывания, и если заряд конденсатора был ненулевым, то на выходе схемы считывания устанавливается единичное значение.

Поскольку элементарной единицей информации для современных компьютеров является байт (восемь бит), то для простоты можно считать, что элементарная ячейка памяти, которая может адресоваться, хранит не бит, а байт информации. Таким образом, доступ в памяти производится не побитно, а побайтно.

Микросхемы памяти организованы в виде матрицы, напоминающий лист бумаги в клетку, причем пересечение столбца и строки матрицы задает одну из элементарных ячеек. Кроме того, современные чипы памяти имеют несколько банков, каждый из которых можно рассматривать как отдельную матрицу со своими столбцами и строками.

На рис. 1 показана упрощенная схема чипа памяти, в котором имеется четыре банка, каждый из которых содержит 8192 строки и 1024 столбца. Таким образом, емкость каждого банка — 8192x1024 = 8192 Кбайт = 8 Мбайт. Учитывая, что в чипе имеется четыре банка, получается, что полная емкость чипа составляет 32 Мбайт.

При обращении к той или иной ячейке памяти следует задать адрес нужной строки и столбца.

Для того чтобы получить доступ к ячейке памяти для записи или считывания информации, необходимо задать адрес этой ячейки. С учетом того, что в модуле памяти используется несколько чипов памяти, а в каждом чипе — несколько банков памяти, прежде всего необходимо указать, в каком чипе и банке находится ячейка. Для этого используют специальные сигналы CS, BA0 и BA1.

Сигнал CS позволяет выбрать требуемый чип памяти. Когда сигнал активен, возможен доступ к чипу памяти, то есть чип активируется. В противном случае чип памяти недоступен.

Сигналы BA0 и BA1 позволяют адресовать один из четырех банков памяти. Учитывая, что каждый сигнал может принимать одно из двух значений: 0 или 1, комбинации 00, 01, 10 и 11 позволяют задать адрес четырех банков памяти.

Когда выбраны чип и банк памяти, можно получить доступ к требуемой ячейке памяти, задав адрес столбца и строки. Адрес строки и столбца передается по специальной мультиплексированной шине адреса MA (Multiplexed Address).

Для считывания адреса строки на входы матрицы памяти подается специальный стробирующий импульс RAS (Row Address Strobe). Если точнее, то этот импульс представляет собой изменение уровня сигнала с высокого на низкий, то есть при переходе сигнала RAS с высокого уровня на низкий возможно считывание адреса строки.

При этом отметим, что само считывание адреса строки происходит не в момент изменения RAS-сигнала, а синхронизовано с положительным фронтом тактирующего импульса.

Аналогичным образом считывание адреса столбца происходит при изменении уровня сигнала (стробирующего импульса) CAS# (Column Address Strobe) с высокого значения на низкое и синхронизовано с положительным фронтом тактирующего импульса.

Кстати, заметим, что, поскольку все события памяти (считывание адреса строки и столбца, выдача или запись данных) синхронизованы с фронтами тактирующего импульса, память называется синхронной.

Импульсы RAS# и CAS# подаются последовательно друг за другом, причем импульс CAS# всегда следует за импульсом RAS#, то есть сначала происходит выбор строки, а затем — выбор столбца.

После считывания адреса строки и столбца ячейки памяти к ней возможен доступ для чтения или записи информации. Эти операции подобны друг другу, но для записи используется специальный разрешающий сигнал (стробирующий импульс) WE# (Write Enable). Если сигнал по напряжению меняется с высокого уровня на низкий, то в выбранную ячейку происходит запись информации. Если же сигнал WE# остается высоким, то происходит считывание информации с выбранной ячейки.

После того как все данные записаны или считаны с ячеек активной сроки, необходимо выполнить команду Precharge, которая закрывает активную строку и позволяет активировать следующую строку. Команды, используемые для записи или чтения, и соответствующие им состояния стробирующих импульсов представлены в табл. 1 и на рис. 2.

Таблица 1. Команды, используемые для записи или чтения ячеек памяти

Характеристики памяти

ак известно, главной характеристикой памяти является ее пропускная способность, то есть максимальное количество данных, которое можно считать из памяти или записать в память в единицу времени. Именно эта характеристика прямо или косвенно отражается в названии типа памяти.

Для того чтобы определить пропускную способность памяти, нужно умножить частоту системной шины на количество байт, передаваемых за один такт. Память SDRAM имеет 64-битную (8-байтную) шину данных.

К примеру, память DDR400 имеет пропускную способность 400 МГц x 8 байт = 3,2 Гбайт/с. Если память работает в двухканальном режиме, то теоретическая пропускная способность памяти удваивается, то есть для памяти DDR400 в двухканальном режиме она составляет 6,4 Гбайт/с. Теоретическая пропускная способность для различных типов памяти отображена в табл. 2.

Таблица 2. Соответствие типа памяти и теоретической пропускной способности

Казалось бы, чем больше пропускная способность памяти, тем лучше. Отчасти это справедливо, но лишь отчасти. Дело в том, что пропускная способность памяти должна быть сбалансирована с пропускной способностью процессорной шины. И если пропускная способность памяти превосходит пропускную способность процессорной шины, то именно процессорная шина становится узким местом в системе, ограничивая возможности памяти. Если рассматривать процессор Intel Pentium 4 или новые двухъядерные процессоры Intel Pentium D, то тактовая частота процессорной шины составляет 800 или 1066 МГц. Учитывая, что ширина шины составляет 64 бит (или 8 байт), получаем, что пропускная способность процессорной шины составляет 6,4 или 8,5 Гбайт/с. Из этого следует, что если в системе используется процессор с частотой FSB 800 МГц, то в одноканальном режиме для сбалансированного решения достаточно использовать память DDR2-800, а в двухканальном — DDR2-400.

Аналогичным образом, если в системе используется процессор с частотой FSB 1066 МГц, то в одноканальном режиме для сбалансированного решения потребуется использовать память DDR2-1066, а в двухканальном — достаточно памяти DDR2-533.

С учетом того, что типичной ситуацией является использование памяти в двухканальном режиме, память DDR2-533 вполне обеспечивает сбалансированное решение.

Возникает вопрос: если память DDR2-533 обеспечивает пропускную способность, согласующуюся с пропускной способностью процессорной шины, зачем тогда нужна более быстродействующая память? Дело в том, что до сих пор мы говорили лишь о теоретической, то есть о максимально возможной пропускной способности, которая реализуется только в случае последовательной передачи данных — когда данные передаются с каждым тактом. В реальной ситуации теоретический предел недостижим, поскольку, кроме этого, необходимо учитывать и такты, которые необходимы для получения доступа к самой ячейке памяти, а также для настроек модуля памяти. В связи с этим другими важными характеристиками памяти являются тайминги памяти или ее латентность.

Под латентностью принято понимать задержку между поступлением команды и ее реализацией. В этом смысле латентность можно сравнить с телефонным звонком. Время, которое проходит от набора номера (вызова абонента) и до ответа в трубке, — это и есть латентность телефонного вызова.

Латентность памяти, которая определяется ее таймингами, — это задержки, измеряемые в количествах тактов, между отдельными командами. Рассмотрим тайминги памяти более подробно. На рис. 3 показана последовательность команд при чтении или записи данных в память. Первоначально происходит активация нужной строки памяти (команда ACTIVE), для чего сигнал RAS переводится в низкий уровень и происходит считывание адреса строки. Далее следует команда записи (WRITE) или чтения (READ) данных, для чего сигнал CAS переводится в низкий уровень и в надлежащий уровень устанавливается сигнал WE. При установке CAS в низкий уровень после прихода положительного фронта тактирующего импульса происходит выборка адреса столбца, наличествующего в данный момент на шине адреса, и открывается доступ к нужному столбцу матрицы памяти. Однако команда чтения или записи не может следовать непосредственно за командой активации — требуется, чтобы между этими командами, то есть между импульсами RAS и CAS, существовал некий промежуток времени RAS to CAS Delay (задержка сигнала CAS относительно сигнала RAS). Эту задержку, измеряемую в тактах системной шины, принято обозначать tRCD.

После команды чтения (записи) данных и до выдачи первого элемента данных на шину (записи данных в ячейку памяти) проходит промежуток времени, который называется CAS Latency. Эта задержка измеряется в тактах системной шины и обозначается tCL. Каждый последующий элемент данных появляется на шине данных в очередном такте.

Завершение цикла обращения к банку памяти осуществляется подачей команды PRECHARGE, приводящей к закрытию строки памяти. После команды PRECHARGE и до поступления новой команды активации строки памяти должен пройти промежуток времени (tRP), называемый Row Precharge.

Еще один тип задержки, называемый ACTIVE to PRECHARGE delay, — это промежуток времени между командой активации строки памяти и командой PRECHARGE. Эта задержка обозначается tRAS и измеряется в тактах системной шины.

Ну и последний тип задержки, который необходимо упомянуть, — это скорость выполнения команд (Command Rate). Command Rate — это задержка в тактах системной шины между командой CS# выбора чипа и командой активации строки. Как правило, задержка Command Rate составляет один или два такта (1T или 2T).

Описанные задержки — RAS to CAS Delay (tRCD), CAS Latency (tCL) и Row Precharge (tRP) — определяют тайминги памяти, записываемые в виде последовательности tCL—tRCD—tRP—tRAS—Command Rate. К примеру, для модуля DDR400 (PC3200) тайминги могут быть следующими: 2-3-4-5-(1T). Это означает, что для данного модуля CAS Latency (tCL) составляет 2 такта, RAS to CAS Delay (tRCD) — 3 такта, Row Precharge (tRP) — 4 такта, ACTIVE to PRECHARGE delay (tRAS) — 5 тактов и Command Rate — 1 такт.

Понятно, что чем меньше тайминги, тем более быстродействующей является память. Поэтому если сравнивать память с таймингом 3-3-3-5-(1T) и память с таймингом 3-2-2-5-(1T), то последняя оказывается более быстродействующей.

Память SDR

азобравшись с такими важными характеристиками памяти, как ее тайминги, можно перейти непосредственно к принципам работы памяти. Несмотря на то что данная статья посвящена современной памяти DDR2, рассмотрение принципов работы памяти мы начнем с синхронной SDRAM-памяти типа SDR (Single Data Rate).

В SDR SDRAM-памяти обеспечивается синхронизация всех входных и выходных сигналов с положительными фронтами импульсов тактового генератора. Весь массив памяти SDRAM-модуля разделен на два независимых банка. Такое решение позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть одновременно иметь две открытые страницы. Доступ к этим страницам чередуется (bank interleaving), и соответственно устраняются задержки, что обеспечивает создание непрерывного потока данных.

Наиболее распространенными типами SDRAM-памяти до недавнего времени являлись PC100 и PC133. Цифры 100 и 133 определяют частоту системной шины в мегагерцах (МГц), которую поддерживает эта память. По внутренней архитектуре, способам управления и внешнему дизайну модули памяти PC100 и PC133 полностью идентичны.

В SDRAM-памяти организована пакетная обработка данных, что позволяет производить обращение по новому адресу столбца ячейки памяти на каждом тактовом цикле. В микросхеме SDRAM имеется счетчик для наращивания адресов столбцов ячеек памяти, чтобы обеспечить быстрый доступ к ним.

В SDRAM-памяти ядро и буферы обмена работают в синхронном режиме на одной и той же частоте (100 или 133 МГц). Передача каждого бита из буфера происходит с каждым тактом работы ядра памяти.

Временная диаграмма работы памяти SDR SDRAM показана на рис. 4.

Память DDR

амять DDR SDRAM, которая пришла на смену памяти SDR, обеспечивает в два раза большую пропускную способность. Аббревиатура DDR (Double Data Rate) в названии памяти означает удвоенную скорость передачи данных. В DDR-памяти каждый буфер ввода-вывода передает два бита за один такт, то есть фактически работает на удвоенной тактовой частоте, оставаясь при этом полностью синхронизированным с ядром памяти. Такой режим работы возможен в случае, если эти два бита доступны буферу ввода-вывода на каждом такте работы памяти. Для этого требуется, чтобы каждая команда чтения приводила к передаче из ядра памяти в буфер сразу двух бит. С этой целью используются две независимые линии передачи от ядра памяти к буферам ввода-вывода, откуда биты поступают на шину данных в требуемом порядке.

Поскольку при таком способе организации работы памяти происходит предвыборка двух бит перед передачей их на шину данных, его также называют Pre-fetch 2 (предвыборка 2).

Для того чтобы осуществить синхронизацию работы ядра памяти и буферов ввода-вывода, используется одна и та же тактовая частота (одни и те же тактирующие импульсы). Только если в самом ядре памяти синхронизация осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, то в буфере ввода-вывода для синхронизации используется как положительный, так и отрицательный фронт тактирующего импульса (рис. 5). Таким образом, передача двух бит в буфер ввода-вывода по двум раздельным линиям осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, а их выдача на шину данных происходит как по положительному, так и по отрицательному фронту тактирующего импульса. Это обеспечивает в два раза более высокую скорость работы буфера и соответственно вдвое большую пропускную способность памяти (см. рис. 5).

Все остальные принципиальные характеристики DDR-памяти не изменились: структура нескольких независимых банков позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть можно одновременно иметь две открытые страницы. Доступ к этим страницам чередуется (bank interleaving), что приводит к устранению задержек и обеспечивает создание непрерывного потока данных.

Память DDR2

сли следовать терминологии SDR (Single Data Rate), DDR (Double Data Rate), то память DDR2 было бы логично назвать QDR (Quadra Data Rate), поскольку этот стандарт подразумевает в четыре раза большую скорость передачи, то есть в стандарте DDR2 при пакетном режиме доступа данные передаются четыре раза за один такт. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода работал на учетверенной частоте по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по четырем независимым линиям в буфер ввода-вывода передаются четыре бита информации (выборка четырех битов за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на удвоенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту этой частоты. Иными словами, с приходом положительного и отрицательного фронтов происходит передача битов в мультиплексном режиме на шину данных (рис. 6). Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать четыре бита на шину данных, то есть вчетверо повысить пропускную способность памяти.

По сравнению с памятью DDR, память DDR2 позволяет обеспечить ту же пропускную способность, но при вдвое меньшей частоте ядра. К примеру, в памяти DDR400 ядро функционирует на частоте 200 МГц, а в памяти DDR2-400 — на частоте 100 МГц. В этом смысле память DDR2 имеет значительно большие потенциальные возможности для увеличения пропускной способности по сравнению с памятью DDR.

От теории к практике: память DDR2-667 Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS

зучив теоретические аспекты функционирования современной памяти DDR2, перейдем от теории к практике. В качестве примера мы рассмотрим новую память SDRAM DDR2-667 компании Kingmax. Стенд для тестирования имел следующую конфигурацию:

• процессор: Intel Pentium 4 570 (тактовая частота 3,8 ГГц, кэш L2 1 Мбайт);
• частота FSB: 800 МГц;
• материнская плата: MSI P4N Diamond;
• чипсет: NVIDIA nForce4 SLI Intel Edition;
• память: два модуля DDR2-667 Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS объемом по 1 Гбайт каждый (двухканальный режим работы);
• видеокарта: MSI NX6800 Ultra-T2D512E.

К сожалению, технической информации о модулях Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS на сайте производителя маловато. Единственное, что удалось узнать, так это об организации модуля (8Ѕ128 Мбайт) и о значении параметра CAS Latency, которое составляет 5 тактов.

Для тестирования памяти мы использовали тестовый пакет RightMark Memory Analyzer v 3.55 и набор игровых бенчмарков: Half-Life 2, DOOM 3, FarCry 1.3, Unreal Tournament 2004 и 3DMark 2003. С целью увеличения нагрузки на процессор и память при тестировании использовалось разрешение 640Ѕ480 точек, а драйвер видеокарты настраивался на максимальную производительность.

Как выяснилось в процессе тестирования, модули памяти KLCD48F-A8EB5-ECAS имеют тайминги по умолчанию (by SPD) и составляют последовательность 5-5-5-13-(2T). Таким образом:

CAS Latency (tCL) — 5T;

RAS to CAS delay (tRCD) — 5T;

Row Precharge (tRP) — 5T;

Active to Precharge (tRAS) — 13T;

Command Rate — 2T.

Для того чтобы оценить потенциальные возможности модулей памяти по разгону (но без ущерба для стабильности), мы также провели тестирование в режиме с наименьшими таймингами, которые были определены методом проб и ошибок. Как выяснилось, минимальные тайминги, которые поддерживают данные модули памяти на тактовой частоте 667 МГц, составляют последовательность 4-3-3-5-(2T). Кроме того, мы провели разгон памяти по тактовой частоте, чтобы оценить максимально возможную тактовую частоту, поддерживаемую данными модулями при работе в двухканальном режиме.

Для тестирования с использованием тестового пакета RightMark Memory Analyzer v 3.55 использовались встроенные в бенчмарк пресеты:

RAM Performance Stream;

Average Memory Bandwidth, SSE2;

Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2;

Average RAM Latency;

Minimal RAM Latency, 16 Mbyte Block, L1 Cache line.

С подробным описанием каждого пресета можно ознакомиться на сайтах www.rightmark.org или www.ixbt.com .

Результаты тестирования с использованием тестового пакета RightMark Memory Analyzer v 3.55 представлены в табл. 3.

Как следует из результатов тестирования, тайминги по умолчанию (by SPD) являются сильно завышенными. Уменьшение таймингов не оказывает влияния на стабильность работы модулей памяти, однако приводит к значительному увеличению пропускной способности памяти и к снижению латентности. Так, максимальная пропускная способность памяти при таймингах 5-5-5-13-(2T) составляет 5967,3 Мбайт/с (операция чтения, пресет Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2). В то же время при уменьшении таймингов до 4-3-3-5-(2T) пропускная способность увеличивается до 6294,9 Мбайт/с, то есть на 5,5%. Отметим, что значение 6294,9 Мбайт/с близко к теоретическому пределу пропускной способности процессорной шины, которая в данном случае составляет 6,4 Гбайт/с.

Увеличение тактовой частоты до 710 МГц не оказывает влияния на стабильность в работе памяти, однако добиться значительного увеличения производительности памяти в данном случае не удается, что еще раз подтверждает тот факт, что изменение таймингов памяти оказывает существенно большее влияние на производительность памяти, нежели увеличение тактовой частоты.

Теперь обратимся к результатам игровых тестов (табл. 4). Как видите, уменьшение таймингов памяти позволяет (хотя и незначительно) увеличить результаты во всех игровых тестах. В то же время увеличение тактовой частоты памяти никак не отражается на результатах теста.

***

Итак, если говорить о рассмотренных модулях памяти Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS, то можно констатировать, что в сочетании с материнской платой MSI P4N Diamond, а следовательно, и с чипсетом NVIDIA nForce4 SLI Intel Edition, эти модули обеспечивают гарантированно стабильную работу и прекрасно разгоняются путем уменьшения таймингов. Именно поэтому мы решили присвоить модулям Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS знак «Редакция рекомендует».

Редакция выражает признательность компании Kingmax (www.kingmax.com ) за предоставление модулей памяти Kingmax KLCD48F-A8EB5-ECAS.

Немецкая компания Qimonda - один из крупнейших производителей чипов памяти, имеет на сегодняшний день, пожалуй, самую широкую линейку этого типа продукции, включая и память для мобильных устройств, и весь спектр оперативной памяти для компьютеров, и видеопамять. Последняя, кстати, - вплоть до GDDR5, причем в официальном списке значатся уже две модели таких чипов - емкостью 512 и 1024 мегабита, а в графе готовности к поставкам стоит характерное «под заказ», и мы, конечно, знаем, для чего в настоящее время используются такие чипы.

Однако конечной продукцией, которая могла бы заинтересовать не только отраслевых потребителей, но и широкие пользовательские массы, являются не чипы памяти, а модули, процесс изготовления которых гораздо проще с технической точки зрения, но, тем не менее, не лишен своих особенностей. Именно поэтому под маркой производителей чипов (это равно касается не только Qimonda, но и Samsung, и Hynix), как правило, продаются лишь непритязательные внешне изделия, способные работать на штатных частотах, причем стабильно и надежно, но представляющие крайне ограниченный интерес в качестве объекта исследования. Мы, однако, решили познакомиться с именно такой парой модулей от Qimonda суммарным объемом 8 ГБ, и, собственно, выяснить: насколько сильно повлияет на скоростные характеристики увеличение плотности микросхем в сочетании с двухбанковой организацией модуля.

Рассуждать на тему: нужен ли кому-то, и зачем столь большой объем памяти, в рамках этой статьи мы не будем. Но если не касаться профессиональных запросов, для которых вполне может быть необходим и больший объем, а ограничиться исключительно впечатлениями «простого пользователя», не интересующегося даже результатами тестов, а лишь собственными ощущениями. То в таком случае, разительно бросающимся в глаза отличием, по сравнению с 4-гигабайтным объемом, является значительно сокращающееся время переключения между приложениями. Например, переключение из любой современной игры в интернет-браузер вместо десятков секунд занимает всего несколько секунд. Это, как минимум, приятно, а насколько необходимо, и стоит ли за это каким-либо образом платить (сами модули дороже, имеют менее высокие характеристики в разгоне по сравнению с распространенными модулями меньшего объема, также необходима установка 64-битной ОС) - решать пользователю. Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Qimonda AG
Производитель микросхем модуля: Qimonda AG
Сайт производителя модуля: Внешний вид модуля

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти имеется в на сайте, где также перечислено большинство выпускаемых на данный момент модулей и описание характеристик. Впрочем, именно таких модулей, какие оказались в нашем распоряжении, в списке не оказалось (есть такие же 4-гигабайтные с поддержкой ECC, тогда как наши модули коррекцию ошибок не поддерживают).

Модули объемом 4 ГБ основаны на 16 микросхемах в BGA-упаковке в конфигурации 512M x 64. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5 (значение RAS в описании не упомянуто, а по SPD равно 18) и питающем напряжении 1,8 В, этот режим и выбран в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию. Продаются модули в OEM-варианте поставки, соответственно, никакого отбора и объединения в 2-канальные комплекты производитель не предлагает. Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

В SPD поддерживаются три значения задержки сигнала CAS# - 6, 5 и 4. Первому и второму (CL X = 6 и 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) с идентичной схемой остальных таймингов 5-5-18 (ровно), третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3,75 нс, частота 266,7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,33-3,33-12, которую BIOS большинства плат будет интерпретировать как 4-4-4-12.

Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя указаны верно, Part Number соответствуют указанному на самих модулях, а серийный номер отличается от приведенного на стикере.

Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.Конфигурация тестового стенда

• процессор: AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B3;
• чипсет: AMD 790FX;
• материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1201;
• ОС: Windows XP SP2 x64.

В качестве штатного режима мы использовали рекомендованный производителем и наиболее логичный из сохраненных в SPD (DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18). Испытания проводились в двух режимах контроллера памяти в процессоре Phenom: ganged (обеспечивающий более высокую производительность в режиме однопоточного доступа) и unganged (предпочтительный для многопоточных приложений, интенсивно обращающихся к памяти). Не преминули мы проверить и разгонный потенциал, хотя ожидать особых талантов в этой области от модулей высокой емкости вряд ли разумно.

* размер блока 32 МБ

Для сравнения использовался комплект модулей меньшего объема (2 x 2048 МБ) от Apacer, как видите, отличие в производительности на равной частоте (DDR2-800) имеются, но минимальны. Внимательно приглядевшись, можно обнаружить разве что большее проседание скорости записи в режиме unganged у модулей от Qimonda.

Хотя сами модули явно не адресованы любителям разгона, то есть не имеют радиаторов и рекомендованных режимов работы с повышенными частотами и напряжением, разгон оказался возможен. И даже с лихвой может компенсировать разницу в производительности по сравнению с модулями меньшего объема (но, само собою, работающих на стандартной частоте).

Любопытно, что в режиме unganged в разгоне установлена стабильная работа на более высокой частоте, при этом удалось снизить напряжение с 2,3 В (которое считается негласным максимумом, длительная работа на более высоком напряжении может сократить срок службы модулей) до 2,2 В. Итоги

Модули памяти DDR2 объемом 4 ГБ (для получения двухканальной конфигурации объемом 8 ГБ) уже давно не являются экзотикой, да и цены имеют не заоблачные. И хотя наиболее распространенными в этой категории остаются модули с поддержкой ECC, рассчитанные на сегмент рабочих станций, нет никаких преград, при желании, получить такой объем и в обычном настольном компьютере. Во всяком случае, производительность и стабильность рассмотренных модулей от Qimonda оказались на высоте, так что этими параметрами пользователю жертвовать не придется.